半导体制造商ROHM研发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET「RV4xxx系列」，该系列产品可确保零件安装後的可靠性，且符合车电产品可靠性标准AEC-Q101，是确保车规级品质的高可靠性产品。此外，该系列采用了ROHM独创的封装加工技术，非常有助於先进驾驶辅助系统（ADAS）相机模组等高品质车电元件的小型化。

半导体制造商ROHM研发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET「RV4xxx系列」，该系列产品可确保零件安装後的可靠性，且符合车电产品可靠性标准AEC-Q101。

RV4xxx系列已於2019年5月份开始出售样品，预计於2019年9月开始暂以月产10万个规模投入量产。

近年来，在ADAS领域中所不可或缺的车电相机，因受到安装空间的限制，对所配置零件的小型化要求越来越高。为满足这些市场需求，在保持大电流的前提下，可进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET因而备受瞩目。

另一方面，为确保车电产品的可靠性，会在产品安装後进行外观检测，但由於底部电极封装在侧面没有充分形成稳定的焊接面，因此无法确保车电元件所需要的焊料高度，也很难确认安装後的焊接状态，这种情形已是长久以来存在的问题。

ROHM一直领先业界致力於超小型MOSFET的产品研发，并创造了许多傲人隹绩。本次透过ROHM独创制程的Wettable Flank成型技术，在底面电极封装也能形成焊接面，实现了业界首创保证封装侧面电极部分具130μm高度，因此可在产品安装後的外观检测中充分确认焊接状态。

特点

1. 利用ROHM独创制程的Wettable Flank成型技术，保证封装侧面电极部分具130μm高度

Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架部加入切割再进行电镀的技术。然而，引线框架切割高度越高越容易产生毛边。

为此ROHM研发出独创制程，在引线框架整个表面上设定了用来减少毛边的障壁层，可以防止产品安装时出现倾斜和焊接不良，在DFN1616封装产品（1.6mm×1.6mm）中，成为业界首家可保证封装侧面电极部分具有130μm高度。

2．换装成小型底部电极MOSFET，减少安装面积

传统ADAS相机模组的反接保护电路主要采用萧特基二极体（SBD）。但是，随着相机解析度日益提高，在迈向超大电流化方向发展的车电市场，由於小型底部电极MOSFET具有导通电阻低且可减少发热量的特点，取代SBD已经是大势所趋。

例如电流2.0A、功耗0.6W时，在车电市场被广为使用的带引线封装MOSFET，与SBD相比可减少30%的安装面积。而底部电极封装的MOSFET，由於散热性更隹，不仅可实现小型化，还可实现大电流化，因此与传统的SBD相比，安装面积可减少78%，与普通的MOSFET相比，安装面积可减少68%。