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英飞凌推出硫化氢防护功能产品 助力延长IGBT模组寿命
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2020年07月09日 星期四

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强固性及可靠性决定了模组在严峻应用环境中的使用寿命。尤其是暴露於硫化氢(H2S)的环境,对於电子元件的使用寿命更有严重的影响。为解决此项威胁,英飞凌科技开发了一项全新的防护功能,推出搭载TRENCHSTOP IGBT4晶片组的EconoPACK+模组,是Econo系列第一款为变频器应用提供此防护等级的产品。达到H2S严重等级的严峻环境常见於制纸、采矿、废水和石化处理流程以及橡胶产业。

搭载TRENCHSTOP IGBT4晶片组的EconoPACK+模组-这是Econo系列第一款为变频器应用提供此防护等级的产品。
搭载TRENCHSTOP IGBT4晶片组的EconoPACK+模组-这是Econo系列第一款为变频器应用提供此防护等级的产品。

H2S对功率半导体来说是腐蚀性最严重的污染物。由於IGBT模组的温度在运作期间通常会升到非常高,再加上高电压和H2S的污染,都会加快硫化铜 (Cu2S)结晶的成长速度。这些导电结构在陶瓷基板上DCB的沟槽内形成,在最糟情况下将导致短路。若IGBT模组提前故障,将会大幅缩短变频器的使用寿命。英飞凌先进的H2S防护功能可防止硫化氢进入模组,避免其接触到重要区域。这是独一无二,也最有效的方法。

该模组所有的电气、热和机械叁数均保持不变,也具备与标准模组相同的特性,而且能延长系统在严峻环境条件下运作的使用寿命。为此,英飞凌还特别开发专属的HV-H2S测试,确保IGBT模组在特定条件下运作的品质符合ISA 71.04-2013标准。此标准依照污染物影响程度定义了从「轻度(G1)」到「严重(GX)」等四个严重性等级。英飞凌的测试涵盖广泛的工业应用,并提供质化方法,用於评估IGBT模组的可靠性。

采用英飞凌H2S技术防护的IGBT模组在定义的HV-H2S测试条件下不会有枝晶增生的情况。因此,装置预期可达到ISA 71.04「恶劣(G3)」严重性等级(? 2000 A/50 ppb)的使用寿命上限,可达20年。具备防护功能的EconoPACK+可直接取代标准模组,省去成本高昂且耗时的设计工作。此外,采用变频器系统的公司也能省去过多的防护措施,像是额外的室内通风、安装区域的温度与湿度控制,或甚至变频器的密封式机柜。

具备先进H2S防护功能的EconoPACK+现已开放订购,提供1200V等级的300A和450A版本,以及1700V等级的300A和500A版本。EconoPIM 2和3也开始提供样品。

PCIM虚拟摊位

今年,英飞凌将以虚拟摊位的方式叁与欧洲PCIM展会。英飞凌拥有最多样化的功率半导体产品组合,横跨矽、碳化矽(CoolSiC)和氮化??(CoolGaN)等多项技术,展会上将展示关於产品创新和应用解决方案的完整且深入的见解。

關鍵字: IGBT  Infineon 
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