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英飞凌新一代功率MOSFET具备低导通电阻
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2015年02月10日 星期二

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英飞凌科技(Infineon) 推出OptiMOS 5旗下80V和100V两款新产品。最新一代的功率MOSFET针对高切换频率所设计,适用于电信及伺服器电源供应器等同步整流,以及其他如太阳能、低压马达和变压器等工业应用。新推出的OptiMOS 5 MOSFET具备业界最低导通电阻(RDS(on)),相较于前一代,80V 产品可降低多达45%,而100V则降低达24%。由于电阻减少,并联零件的需求得以大幅降低,因而可省下材料成本,让新推出的产品拥有功率高密度和高能效。

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与前一代产品相较,OptiMOS 5 80V 版本的输出充电降低 38%,OptiMOS 5 100V 版本则降低 25%。输出充电下降,代表在硬式切换拓朴和同步整流下的切换损耗和电压过冲都能降低。因此可加快设计时间,同时降低开发成本。此外,80V 的版本闸极电荷降低 24%,100V 版本降低 29%,切换耗损也得以降低,尤其是在轻负载运作,以及如太阳能应用的微逆变器和功率优化器等整个负载范围均需要高效率的应用下。

OptiMOS5 80V 和 100V 提供七种不同的封装:SuperSO8、S308、TO 无导线、TO-220、TO-220 FullPAK、D2PAK 和 D2PAK 7Pin。目前已提供这两种电压等级和各种封装的样品,并已进入量产阶段。(编辑部陈复霞整理)

關鍵字: MOSFET  导通电阻  太陽能  低電圧モータ  变压器  マイクロインバーター  パワー・オプティマイザ  Infineon  Infineon  电子逻辑组件 
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