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意法半导体新MDmesh MOSFET内建快速恢复二极体
 

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理报导】   2017年06月02日 星期五

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意法半导体新MDmesh MOSFET内建快速恢复二极体

DK5系列产品扩大了意法半导体的特高压超电晶体产品组合,其涵盖800V至1500V电压范围,并新增六款TO-247、TO-247长针脚、Max247和ISOTOP功率封装产品。 STWA40N95DK5、STY50N105DK5和STW40N95DK5现已开始量产。
DK5系列产品扩大了意法半导体的特高压超电晶体产品组合,其涵盖800V至1500V电压范围,并新增六款TO-247、TO-247长针脚、Max247和ISOTOP功率封装产品。 STWA40N95DK5、STY50N105DK5和STW40N95DK5现已开始量产。

此系列为超接面MOSFET电晶体技术,新产品额定电压范围涵盖950V至1050V,开关性能、导通电阻(RDS(ON))和矽单位面积流过的额定电流等技术参数均优于平面结构的普通MOSFET电晶体。在大功率设备用的功率转换器,例如,高汇流排电压的电信伺服器或资料中心伺服器、工业电焊机、等离子发电机、高频率感应式加热器和X射线器内,意法半导体的新产品让设计人员能够提升应用效能,减少并联元件数量,进而提升功率密度。

此系列为超接面MOSFET电晶体技术,新产品额定电压范围涵盖950V至1050V,开关性能、导通电阻(RDS(ON))和矽单位面积流过的额定电流等技术参数均优于平面结构的普通MOSFET电晶体。在大功率设备用的功率转换器,例如,高汇流排电压的电信伺服器或资料中心伺服器、工业电焊机、等离子发电机、高频率感应式加热器和X射线器内,意法半导体的新产品让设计人员能够提升应用效能,减少并联元件数量,进而提升功率密度。

内建快速恢复体二极体让新产品能够增加零电压切换LLC谐振转换器的表现,满足应用对宽广的输入电压和高效之要求。其他类型的桥式转换器以及电池充电升压DC/DC转换器也将受益于新产品的低损耗和提升动态性能。相较市面上现有之内建快速恢复二极体的特高压MOSFET,意法半导体DK5产品兼具最短的反向恢复时间(reverse-recovery time,trr)、最低的MOSFET栅电荷量(Qg)和导通电阻RDS(ON),以及超接面技术产品中优异的输出输入电容(Coss, Ciss)。

關鍵字: MOSFET  二极管  ST  电子逻辑组件 
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