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矽统与三星、华硕、RAMBUS携手开发RDRAM平台
 

【CTIMES/SmartAuto 楊青蓉报导】   2003年02月24日 星期一

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矽统科技(SiS)24日指出,继SiSR658正式量产后,该公司将与三星电子、华硕电脑与RAMBUS共同开发新一代支援RDRAM晶片组-SiSR659的平台。 SiSR659采用高阶记忆体模组Rambus架构,并支援四通道RDRAM,传输频宽将大幅提升,消费者可体验更快速顺畅的使用环境。矽统科技资深副总经理陈克诚表示,「我们非常高兴能与三星电子、华硕电脑及RAMBUS展开合作计划。矽统科技一向专注于技术的开发,屡屡推出多款规格产品,我们将秉持良好的晶片设计能力,持续投入资源开发高阶平台产品。 」

SiSR659为矽统科技第二代支援RDRAM的产品,运用了Rambus高速介面与记忆体控制技术。 SiS表示,SiSR659不仅支援四通道1200MHz RDRAM记忆体,并可将记忆体频宽提升至9.6Gbyte/sec。与双通道DDR晶片组相较,SiSR659的效能大幅提升了50%。同时,SiSR659晶片组由于快速运算的高效功能提升了整体表现,记忆体容量可提高至16Gbyte。新一代的RDRAM晶片组只需使用目前产业界支援的标准RIMM模组即可表现出超越以往的效能,而该公司新开发的Rambus晶片组-SiSR659搭配SiS964南桥晶片,配备8组USB 2.0/1.1及ATA133/100/66双IDE通道。

關鍵字: 硅统科技  陈克诚  动态随机存取内存 
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