ROHM（罗姆电子）全新研发出最高性能的高耐压功率MOSFET「F 系列」，适用于液晶电视的背光模块Inverter、照明用Inverter﹑马达驱动器及切换式电源等使用桥式电路的各种应用。此新系列产品将自ROHM 新开发的「F 系列」，让具备超级接合面结构的MOSFET组件内部局部形成Trap Level，与一般的超级接合面结构产品相比，成功将反向回复时间（trr）由160ns减为70ns，降低达60%。在组件内部形成Trap Level后，虽然trr的速度变快了，不过却让超级接合面型结构在形成上遭遇困难。即使如此，ROHM仍成功地研发出能在组件内部局部形成Trap Level的超级接合面MOSFET。

高速trr/高速切换式高耐压MOSFET「F 系列」

如此一来，即使未安装快速回复二极管（FRD），也能使用于桥式电路，而且还能够藉由减少零件的使用量、缩小基板面积或藉由高频化可使用体积较小的变压器等，对产品的小型化与低成本化有莫大贡献。

除了本次所推出的「F 系列」外，未来ROHM仍将运用独创的尖端制程加工技术，以顾客需求为优先考虑，致力于研发晶体管产品。