安森美(onsemi)宣布将其碳化矽(SiC)系列命名为「EliteSiC」。在CES上，安森美展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极体。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能。

安森美将其碳化矽(SiC)系列命名为「EliteSiC」

安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工业应用所需的更高击穿电压（BV）的SiC方案。两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极体（NDSH25170A、NDSH10170A）让设计人员能够实现在高温高压下稳定运行、同时由SiC赋能高能效的设计。

安森美执行??总裁暨电源方案部总经理Simon Keeton说：「新的1700 V EliteSiC器件提供出色的能效和更低的功率损耗，加强了我们EliteSiC系列产品在性能和品质方面的高标准，同时也进一步扩大了安森美EliteSiC的深度和广度。加上我们的端到端SiC制造能力，安森美提供的技术和供货保证可以满足工业能源基础设施和工业驱动供应商的需求。」

在1200 V、40 A的测试条件下，1700 V EliteSiC MOSFET的栅极电荷（Qg）达到领先市场的200 nC，而同类竞争器件的Qg近300 nC。低Qg对於在快速开关、高功率再生能源应用中实现高能效至关重要。

在1700 V的额定击穿电压（BV）下，EliteSiC肖特基二极体器件在最大反向电压（VRRM）和二极体的峰值重复反向电压之间提供了更好的馀量。新器件还具有出色的反向漏电流性能，其最大反向电流（IR）在25℃时仅为40 μA，在175℃时为100 μA --明显优於在25℃时额定值通常为100 μA的竞争器件。