安捷倫科技日前發表了兩款新的GaAs電晶體，它們均採用公司的MiniPak迷你無引線封裝。這些GaAs電晶體主要用於PC介面卡及基地台接收器的設計。安捷倫MiniPak的尺寸只有1.4 mm x 1.2 mm x 0.7 mm，使用的電路板空間比2.1 mm x 2.0 mm x 0.9 mm大小的傳統SC-70封裝少了60%。Agilent ATF-551M4的應用包括802.11a或802.11b無線LAN PC介面卡，2.4 GHz、3.5 GHz和UNII（5 GHz）頻帶內的固定無線基礎架構，以及必須使用最小元件的手機。而Agilent ATF-331M4元件，則特別適合作為基地台接收器的低雜訊放大器使用。

安捷倫表示，400微米的ATF-551M4是一個單電壓的E-pHEMT(1) GaAs FET(2)，不需要使用負閘偏壓電壓就能操作。這個元件具備了低雜訊的優異效能（在450 MHz至6 GHz的頻率之間，最低的雜訊指數 [Fmin] 小於1 dB），而且耗電量小，非常適合用作2至10 GHz頻率範圍內的無線接收器應用所需的低雜訊放大器（LNA）。

ATF-551M4在2 GHz頻率下（2.7 V，10 mA）典型的低電流效能為0.5 dB的雜訊指數，+24.1 dB的第三級輸出截距點（OIP3），在1 dB增益壓縮下達+14.6 dBm的輸出功率（P1dB），以及17.5 dB的相關增益。在5.8 GHz的頻率（2.7 V，10 mA）下，此電晶體可提供0.9 dB的最低雜訊指數（Fmin），+24.5 dBm的OIP3，+14.3 dBm的P1dB，以及12 dB的相關增益。

1600微米的ATF-331M4是採用安捷倫先進製程的雙重電壓PHEMT。這個元件兼具了高線性度與低雜訊指數的特性，是專為第一或第二階段的基地台LNA設計而優化的。在2 GHz的頻率（4 V，60 mA）下，典型的效能為0.6 dB的NF，+31 dBm的OIP3，+19 dBm的P1dB，以及15 dB的相關增益（Ga）。

E-pHEMT是針對無線通訊應用而優化的半導體製程。所有其他的砷化鎵（GaAs）、金屬半導體場效電晶體（MESFET）、以及高電子移動電晶體（HEMT）元件，都必須使用正電壓來操作，但仍需要用到負閘電壓來控制。用來提供負電壓的元件會增加系統的成本、佔用寶貴的電路板空間、且需要額外的設計。E-pHEMT技術的優點，就是只需要一個正的電壓就夠了。