國際整流器公司(簡稱IR），推出四款採用TSSOP-8封裝的雙重式HEXFET功率MOSFET，其導通電阻 (RDS(on)) 低於同類型產品25%。四款新元件的編號為IRF7757、IRF7756、IRF7755及IRF7754。它們透過IR的標準MOSFET技術降低導通電阻，並有效提升行動電子裝置的功率系統效率以及延長電池壽命。

雙重式HEXFET功率MOSFET

相較於業界標準的SO-8封裝，TSSOP-8封裝的體積縮小將近35%。透過整合IR先進的矽技術，新元件的體積不僅更為輕巧，且具備與更大型的SO-8元件相同的效率。設計人員可利用輕巧的TSSOP-8元件取代SO-8元件，以節省系統空間。

IR表示，全新12V P閘道MOSFET經過特別的設計，可在低至1.8V的閘電壓下提供低導通電阻。1.8V是一般行動電子裝置邏輯IC的運作電壓，此額定值不需要設置額外的升壓電路，且可簡化電路設計。新元件是針對電池及負載管理應用的需要，適用於各類電池驅動式行動裝置，如MP3隨身聽、行動電話、數位相機、筆記型電腦及其他小型電子產品。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「設計人員將新型的TSSOP-8雙重式HEXFET MOSFET應用於行動電子設備的功率管理系統，即可開發出體積更小、電池壽命更長的產品。他們也可透過採用IR全新的TSSOP-8雙重式HEXFET MOSFET，將原有採用TSSOP-8元件的電路升級，進而提升電源效率。」