全球功率半導體及管理方案廠商－國際整流器公司 (IR)，推出內建MOSFET 驅動器的IRU3055CQ 五位元可編程式三相PWM控制IC。IRU3055CQ是針對需要低電壓與高電流的新型GHz級CPU所設計。新元件符合英特爾VRM 9.0的技術規範，並為多相式降壓轉換器，支援伺服器與先進桌上型電腦中的CPU，以及採用英特爾Pentium 4與其它處理器的主機板。

內建MOSFET 驅動器的IRU3055CQ

IR台灣分公司總經理朱文義表示: 「隨著IR3055CQ方案的推出，我們的多相位PWM IC產品線得以全面擴充。IR擁有多元化的類比IC及分離式功率半導體產品，可為設計人員提供一系列適用於運算型PCB上所有功率管理插槽的產品。」

IR表示，IRU3055CQ 具有板上內建式MOSFET驅動器，不同於大多數需搭配外部MOSFET驅動器。當IRU3055CQ與IR的HEXFET功率MOSFET搭配，如用於控制FET插槽的IRF3704S，以及用於同步FET插槽的IRF3711S，IRU3055CQ能提供高達60A的電流，滿足微處理器所需的VCORE電壓要求。此外表示，新的控制IC是一款固頻電壓模式控制器，可編程操作頻率範圍為50kHz至500 kHz。透過應用於五位元數位轉類比轉換器(DAC)的一組可編程VID碼，更可在1.075 至1.85V的範圍內選擇輸出電壓，以25mV為最小單位進行調整，精確度可達1.0%。

新元件具備多項用以保護與監視電源系統以及微處理器的性能。它針對5V與12V供應電源提供電壓過低鎖定機制(under-voltage lockout, UVLO)，並提供外部可編程軟啟動功能。此外，IRU3055CQ也設有PGOOD監視電路，當轉換器的輸出超過設定電壓±10%的範圍時，電路會保持低輸出。

IRU3055CQ 亦提供過壓保護機制。當輸出電壓超過DAC設定電壓值20%以上時，低位端(low-side)的MOSFET就會啟動並將輸出電壓降低分流接地，保護CPU免受損壞。IRU3055CQ具備無損耗的電感器電流感測及分享功能(loss-less inductor current sensing and sharing)，並透過同步FET RDS(on) 感測提供電流過高保護(over-current protection)，不須額外加裝感測電阻器。IRU3055CQ亦能設定提供電壓下降補償機制，當負載電流升高時，輸出電壓能以線性模式降低，而當負載電流下降時，輸出電壓則會升高，進而符合VRM的技術規範。採用36針腳寬面積QSOP封裝的IRU3055CQ現已開始供貨。