安捷倫科技公司於24日發表了一款高線性度的E-pHEMT(增強模式PHEMT)場效電晶體(FET)，這是專為450 MHz到6 GHz、講求成本的無線基礎架構應用之低雜訊、高動態範圍操作而設計的。

在3V、30 mA和2 GHz下操作的單電壓Agilent ATF-58143 E-pHEMT FET，提供了0.5 dB的雜訊指數和+16.5 dB的相關增益，以及+30.5 dBm的第三級輸出截點(OIP3)和+16.5 dBm的線性輸出功率(1 dB的增益壓縮)。它非常適合用於蜂巢式/PCS/WCDMA基地台、無線區域迴路、無線固定存取、以及操作頻率在450 MHz到6 GHz的其他高效能應用中的前端LNA(低雜訊放大器)之第一與第二階段。ATF-58143在3V下僅30 mA的低耗電量，提供了30.5 dBm OIP3的高線性度，能減少現今小巧的裝置設計所產生的熱氣。單電壓操作也能排除電壓反相電路或雙重電壓供應的需要。