KLA-Tencor 6日推出推出MetriX 100，是一套針對產品晶圓上薄膜的成份與厚度提供獨立的量測功能。在各種IC上，薄膜的成份和薄膜的厚度都會影響IC的功能與可靠度，MetriX 100具備量測這兩種參數的能力，提供90奈米環境中生產在線式監測及開發65奈米以下的製程。MetriX 100採用一套多樣化的電子束技術，搭配專利高解析度x光偵測器與軟體演算法，提供精準度與一致性(誤差分別低於1個百分比，1 sigma)。其功能組合讓此套工具能支援各種應用-從製程研發及量測超薄型原子層沉積(Atomic Layer Deposition; ALD)阻障薄膜的參數，到監測製造過程中銅阻障/種晶與其它影響良率的重要元件層，如像氮氧化矽(SiON)邏輯閘電介質。MetriX 100 目前正在許多尖端IC廠進行第二階段的測試。

KLA-Tencor副總裁兼薄膜與表面量測部門總經理Sergio Edelstein表示：「MetriX 100能協助客戶將各種尚未進行量產測試的新材料成功地投產。在經過審慎的評估後，我們以電子束量測技術架構MetriX 100系統，因為它能因應未來在90奈米IC量產製程中監測薄膜成份的需求，且能繼續延用至65奈米以下更先進的製程。」

傳統的薄膜監測技術為破壞性，因缺少密度的判斷能力，加上面臨訊/噪比過高的問題，無法在多層薄膜堆疊中對單一薄膜進行厚度量測。更重要的是，這些舊技術都無法在製造過程中在產品晶圓判斷量測薄膜的成份。

KLA-Tencor指出，MetriX 100的量測技術採用電子束能量分佈的X光頻譜(Energy Dispersive X-Ray)。

MetriX 100在90奈米製程的主要應用包括在各種多層薄膜堆疊上監測薄膜厚度與成份，例如像銅阻障層/種晶層、電化學電鍍(Electro-Chemical Plating)銅薄膜、化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization)銅薄膜、超薄型ALD阻障層與其它金屬薄膜。在這種製程環境下的其它重要應用包括邏輯閘電介質的氮化物劑量的量測，應用於各種先進各種先進電漿製程。65奈米製程的新型應用包括磷化鎢鈷(CoWP)層、高介電係數邏輯閘電介質合成、超淺接點佈植、氮化金屬邏輯閘、以及超薄型多層磁性隨機存取記憶體(Magnetic Random Access Memory; MRAM)堆疊。