增你強近日力推其代理品牌Fuji Electronic Power MOSFET Super FAP-G 500V~900V系列。Super FAP-G是Fuji推出的MOSFET新系列，在製程技術上將矽晶圓的使用發揮至最高極限，提升MOSFET整體效能，因此在相同的導通阻抗值RDS(on)下，MOSFET封裝將更小，讓研發設計人員在設計3C產品時，能滿足消費者對產品要求更多功能、更省電與外形更輕巧的需求。

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由於Fuji在POWER MOSFET製程技術的演進，傳統TO-3P封裝的MOSFET (600V / 0.75ohm)規格，在Super FAP-G系列則以TO-220封裝即可達到相同規格之需求 (600V / 0.75ohm與600V / 0.65ohm)。Super FAP-G系列還有幾項重要特色，包括更低的Gate Charge (Qg)與Turn-off loss，與傳統元件相比，Super FAP-G的Gate Charge能降低60%，Turn-off loss能減低75%。

此外，Super FAP-G元件的吸收突波耐受 (Avalanche Ruggedness) 的能力更強，在瞬間高溫下依然能正常運作。與傳統元件相比，Super FAP-G系列減少20%的損耗，可降低溫升，亦能減少散熱片面積，降低整體設計成本，大幅提升電源系統效率。

Fuji 計劃在2005年第三季發表Power MOSFET Super Junction (SJ)系列，SJ標榜低Gate Charge (Qg與Qgd)與極低的RDS(on)值。 SJ系列是Fuji為搶攻CoolMOS市場所規劃的新產品。