英飛凌於台北舉辦的2005年台灣區英代爾(Intel)開發商論壇中，展示出一些採用完全緩衝區DIMM(FB-DIMM)之重要模組樣品，這些模組可成功的將各主要ODM廠商之標準伺服系統完成開機動作。此項里程碑之成果在伺服器平台上成功展示出下一代Intel伺服晶片組之操作，將英飛凌帶至下一代記憶體子系統發展之第一線上。

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從2006年開始，在高階系統中，FB-DIMM預期將開始取代Registered DIMMs；FB-DIMM是JEDEC-標準化之模組，專為高密度高速度之運作而設計。FB-DIMM之架構是以使用於高階記憶體連接之全新記憶體互聯技術標準為基礎。此模組上具備一個先進記憶體緩衝區Advanced Memory Buffer(AMB)之晶片，能夠加速記憶體之功能，並在每一模組上提供更高之記憶體容量。因此，為未來世代採用DDR2和DDR3 DRAM之高效益模組提供了一個基礎架構。

英飛凌記憶體產品群運算部之主管Michael Buckermann表示：「英飛凌已對客戶做出承諾，將開發下一代高效益伺服器與工作站之產品，以滿足客戶之需求。目前我們已和一些密切合作的客戶初期成功的完成各個平台測試，現在我們正在收集關鍵性的效益資料，並進行所需之系統層次測試，準備在今年底裝置FB-DIMM 在各系統中，以達到更進一步的里程碑。」

英飛凌表示，結合高密度的記憶體和模組上之AMB晶片，將會在FB-DIMM中產生不少的熱量，為能控制此熱負載，負責JEDEC標準之機構定義了一個散熱裝置，成為模組的一部份。英飛凌也已經開發出一個散熱裝置，其機械結構尺寸比JEDEC之規格還要小。未來，英飛凌將以自行開發，並且能有效控制熱量之散熱裝置提供FB-DIMM樣品給客戶。