帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Vishay推出新型同步降壓控制器IC
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2005年12月07日 星期三

瀏覽人次:【1313】

Vishay Intertechnology,Inc.推出兩款可與外部MOSFET共同運行的新型同步降壓控制器IC,這些器

BigPic:600x400
BigPic:600x400

件在需要10A輸出電流的直流到直流轉換器電路中具有的外部元件數最少。

高壓SiP12201及低壓SiP12202控制器均可在電池供電系統、電信及工業終端系統等廣泛應用中實現靈活、高效的電壓轉換。這些新器件的同步降壓架構可實現以93%的效率進行電壓轉換,從而延長可電池使用時間,同時減少封閉的現場安裝或機架安裝系統中的熱量,以及降低對冷卻系統的需求。

SiP12201的輸入電壓範圍介於4.2V~26V,而SiP12202的介於2.7V~5.5V。SiP12201與SiP12202的可調輸出電壓範圍分別介於0.6V~20V和0.6V~5.5V。在低端達到0.6V的能力對於工作頻率為500kHz的器件而言是一種獨特功能,這一能力可確保SiP12201及SiP12202在未來十年中能夠滿足對預測可降至0.6V的更低電壓的需求。

由於Vishay提供了相容的控制器與MOSFET器件,因此設計人員可獲得面向高壓及低壓降壓應用的最全面解決方案。SiP12201是為與Vishay Si7114DN n通道功率MOSFET配合使用而進行了優化,而SiP12202是為與Si7106DN p通道及Si7110DN n通道功率MOSFET配合使用而進行了優化。這兩種新型降壓控制器均包含補償/關斷引腳的組合,以及其他保護功能,例如欠壓鎖定、電源安全輸出、輸出電流限制及熱關斷。內部軟啟動功能可在啟動時防止出現電壓峰值。這兩款控制器均採用無鉛(Pb)MLP33-10封裝,並且工作範圍均規定為-40°C~+85°C。

關鍵字: Vishay  電壓控制器 
相關產品
Vishay推出獲沉浸式許可的新尺寸IHPT觸覺回饋致動器
Vishay固體鉭模製片式電容器為電子爆震系統增強性能
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體
Vishay液態鉭電容器為軍事和航電應用提供高電容和穩健性
Vishay推出小尺寸薄膜環繞片式電阻器提供高達1 W功率
  相關新聞
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» Vishay IGBT和MOSFET驅動器拉伸封裝可實現緊湊設計、快速開關
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
» Vishay新型30 V和 500 V至 600 V額定電容器擴展上市
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.117.78.87
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw