Vishay宣佈,該公司正推出率先採用其創新型PolarPAK封裝的兩款功率MOSFET,該封裝使用雙面冷卻,可降低熱阻、封裝電阻及封裝電感,從而實現更高效、更快速的開關功率MOSFET。PolarPAK經過專門設計,可輕鬆處理及安裝到採用高速組裝設備的PCB上,從而在大批量生產中可實現高組裝良品率。這是PolarPAK為什麼贏得了具有雙面冷卻特性的第一個MOSFET封裝這一聲譽的原因之一,自2005年3月Vishay與STMicroelectronics締結使用許可協定開始,多家廠商將採用該封裝。
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首款PolarPAK功率MOSFET為30V n通道SiE802DF與SiE800DF。SiE802DF專為同步整流直流到直流轉換器中的低端控制開關進行了優化,該器件在10V柵極驅動時具有最大1.9毫歐的超低導通電阻(在4.5V 時最大為2.6毫歐),並且可處理高達60A的電流。SiE800DF專為用作同步直流到直流轉換器設計中的低占空比高端MOSFET而進行了優化,該器件具有12 nC的超低典型柵極電荷Qg,在10V時其導通電阻最大為7.2毫歐,在4.5V時為11.5毫歐。
這兩款新型PolarPAK功率MOSFET具有與標準SO-8封裝相同的占位面積,它們上表面的熱阻為1°C/W,下表面的熱阻為1°C/W。這提供了兩條散熱路徑,從而使這兩款器件的電流密度比標準SO-8高一倍。憑藉更高的結-環境熱阻抗,PolarPAK功率MOSFET可處理更高功率或以更低的結溫運行。更低的結溫意味著更低的rDS(on),從而意味著更高的效率。結溫降低20°C還可使使用壽命可靠性提高2-1/2倍。