Vishay為其光電子產品系列中添加一款0.5A MOSFET/IGBT驅動器，該元件的最大低電平輸出電壓為1.0V，因此無需使用負柵極驅動器。在一個封裝中結合了高速光耦合器與IGBT/MOSFET驅動器的隔離式解決方案－新型VO3150－在工業及消費類應用中非常適用於額定電壓及電流分別高達為1200V及50A直接驅動的IGBT。

/news/2006/06/27/2331405752.jpg

採用8引腳DIP封裝的VO3150可節省終端產品中的板面空間，這些產品包括不間斷電源、交流及無刷直流電動機驅動、工業逆變器、開關模式電源，以及等離子顯示器面板。

VO3150的高輸出電壓與正電源電壓緊密匹配，因此與需要更高電源電壓來提高DMOS或IGBT電源器件性能的應用中採用的其他MOSFET/IGBT驅動器相比，VO3150更具有優勢。

VO3150解決了電源半導體元件的常見問題，在這些元件中，當該元件以低於一般規定的20V的柵極-源極電壓運行時，輸出電壓會向前漂移。為避免這種情況，一般規避方法是在柵極驅動輸出位置使用分流電阻，這可防止電壓向上漂移。由於 VO3150沒有展示同樣的向上電壓漂移，因此通過該器件可無需使用額外元件來補償這種行為。

VO3150具有5300Vrms的隔離電壓，在1500V的VCM時，其共模拒絕最低為15kV/µs，典型為30kV/s。通過以開關頻率高於16kHz（超出了人的聽覺範圍）的高帶寬運行，該元件可降低終端產品的雜訊。其最大傳播延遲時間僅為0.7µs，最大供電電流為7mA，並且具有15V～30V的寬闊工作電壓範圍，以及過壓鎖定保護。該元件的工業溫度範圍介於-40°C～+85°C。