純快閃記憶體解決方案供應商Spansion宣布計劃開發下一代數據儲存產品系列，MirrorBit ORNAND架構。以Spansion專有電荷捕獲儲存技術(charge trapping stroage technology)的新型MirrorBit ORNAND2架構為基礎，將在連接於NAND儲存器陣列中採用類似SONOS的45nm儲存單元，具有快速寫入和高封裝密度的特點－－將NAND技術的性能和成本優勢與300mm晶圓的成本結構優勢發揮到極致。

以新型架構為基礎的產品將主要針對整合快閃記憶體市場中的數據儲存應用領域：在這種市場中，客戶注重的是差異化、高價值的解決方案。新的架構將透過45nm系列解決方案擴大現有MirrorBit ORNAND產品系列；與Spansion 65nm的MirrorBit ORNAND產品相比，不但能將遮罩層(mask layers)的大小減少25%，品質也優於浮動閘門(floating gate)NAND解決方案。MirrorBit ORNAND2產品預計將於2009年初推入市場。

新的架構以Spansion專有MirrorBit技術為基礎。目前，採用MirrorBit技術的解決方案總銷售額達20億美元，占整體NOR快閃記憶體市場的22%。透過採用通用的技術平台和利用40nm以下的MirrorBit技術具有的可擴展性優勢，在同一晶圓廠中可以實現MirrorBit NOR、ORNAND和ORNAND2產品的高效生產。

Spansion研發事業部執行副總裁Lou Parrillo博士表示︰「Spansion是唯一一家成功實現電荷捕獲儲存技術大量應用的公司。藉由我們專有先進的MirrorBit技術、300mm晶圓生產能力以及預計與NAND相當的性能，我們能夠進一步擴大現有產品的組合並且加快MirrorBit技術的發展速度。」