國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)於近日宣布,針對PQFN封裝系列推出新款的PQFN 2mm x 2mm和PQFN3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝把兩個採用IR最新矽技術的HEXFET MOSFET整合,為低功率應用,包括智慧型手機、平板電腦、攝錄機、數位相機、DC馬達和無線電感充電器,以及筆記型電腦、伺服器和網通設備,提供高密度,低成本的解決方案。
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IR針對PQFN封裝系列推出新型封裝採用最新矽技術 |
新推出的PQFN2x2及PQFN3.3x3.3雙元件在每一個封裝都配備一對功率MOSFET,提供共汲極或半橋拓撲的靈活性。這些元件利用IR最新的低電壓矽技術(N和P)來達致超低損耗。例如IRLHS6276在只有4 mm2的範圍內,配備兩個典型通態電阻(RDS(on))均為33mΩ的MOSFET。
此外,這個雙PQFN系列包括專為在高側負荷開關使用而優化的P-通道元件,提供簡易驅動解決方案。元件封裝的厚度少於1 mm,使其與現有的表面黏著技術兼容,並且擁有行業標準的占位空間,還符合電子產品有害物質限制指令(RoHS)。