橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體推出了首款採用新封裝技術的MDmesh V 超接面(Super-Junction)MOSFET,新封裝可提升家用電器、電視機、個人電腦、電信設備和伺服器開關電源的功率電路能效。
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新的TO247-4 4針腳封裝提供一個開關控制專用的直接源連接(direct source connection),而傳統封裝是開關和電源共用一個針腳。增加的針腳能夠提高開關能效,降低開關損耗,並支援更高的開關頻率,降低電源尺寸。
該封裝是意法半導體與英飛凌(Infineon)的合作開發成果,英飛凌也推出了自有的超接面元件,為客戶選購超接面MOSFET時提供了更大的靈活性。意法半導體的功率電晶體產品部行銷總監Maurizio Giudice表示:「TO247-4具有很高的成本效益,用於替代標準TO-247 元件時,只需對印刷電路板佈局略加修改,從而簡化了該元件在電源系統的應用。採用這一封裝的新MDmesh元件可提高工作能效,實現更加節能環保的終端設備。」
TO247-4封裝整合一個創新且實現了開爾文接法(Kelvin connection)的內部結構,這個連接旁路了主電源連接的共源電感,可消除高達60%的開關損耗,允許設計人員使用更高的開關頻率和更小的濾波元件。新封裝結合意法半導體的MDmesh超接面技術,實現了最高的單位矽面積導電效率,並取得了最高的總體節能效果。
今日所推出推出的產品是STW57N65M5-4。作為首款TO247-4封裝的MDmesh產品,STW57N65M5-4可提高主動功率因數校正(PFC,Power-Factor Correction)電路和全橋或半橋功率轉換器的能效,適用於各種消費性電子和工業電子產品。
TO247-4封?的STW57N65M5-4的更多特性:
1. 高抗噪性,降低電磁干擾(EMI,Electro-Magnetic Interference)敏感度
2. 降低額定電壓,提高安全係數
3. 高耐dv/dt能力,提高可靠性
4. 100%累崩測試(avalanche tested),可用於耐用性設計