凌力爾特(Linear Technology)日前發表三組輸出μModule穩壓器LTM4632,可驅動所有新QDR4及舊式DDR SRAM:VDDQ,VTT和VTTR(或VREF)的所有三組電壓端。LTM4632採用微型、輕量的LGA封裝(6.25mm x 6.25mm x 1.82mm),可焊接在PCB的背面,加上一個電阻和三個電容只佔0.5cm2(雙面)或1cm2(單面)。元件提供3A VDDQ和±3A VTT(= 1/2 * VDDQ),而兩個並聯的LTM4632可為更大的記憶體組提供每軌高達6A。針對高於6A VDDQ之應用,LTM4632可與LTM4630配置,以為非常大陣列的SRAM提供18A和36A之間的VDDQ。如果VDDQ已可使用,LTM4632則可經由配置來提供達6A之兩相單一VTT輸出。
![凌力爾特用於 DDR 及QDR4 SRAM 的μModule 穩壓器可操作於 3.3VIN 至 15VIN](/news/2016/04/21/1826449580S.jpg) |
凌力爾特用於 DDR 及QDR4 SRAM 的μModule 穩壓器可操作於 3.3VIN 至 15VIN |
LTM4632可從3.3V的低輸入電源及標準5V和12V輸入(高達15V)操作。兩組輸出電壓(VDDQ和VTT)任一組的範圍均為0.6V到2.5V,第三組輸出為低雜訊10mA緩衝輸出,可用於VTTR的SRAM。應用範圍包括PCIe、雲端系統、RAID、視頻處理和使用SRAM的網路:包括DDR / DDR-II/ DDR-III / DDR4/ QDR/ QDR-II/ QDR-II+和QDR4。
LTM4632具備三組輸出DC/DC穩壓器,其由2個電路分配,同時包含電源開關、電感及支援零組件,所有均納入精小、超輕薄的封裝。LTM4632 額定操作溫度為攝氏–40度至125度。
產品特色
‧ 完整的DDR/QDR4 記憶體電源方案僅佔 1cm2 (單邊PCB) 或 0.5cm2 (雙邊 PCB)
‧ 3A VDDQ + 3A VTT 或雙相單一 6A VTT
‧ 寬廣輸入電壓範圍: 3.6V (具備可連接至INTVCC 的VIN ) 至15V
‧ 0.6V 至 2.5V 輸出電壓範圍
‧ +/-1.5%,+/-10mA 緩衝 VTTR = VDDQ/2 輸出
‧ 外部頻率同步
‧ 超輕薄6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封裝