帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Vishay推出新型高可靠性濃膜電阻
 

【CTIMES/SmartAuto 陳盈佑報導】   2008年03月10日 星期一

瀏覽人次:【6490】

日前Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出一款新型濃膜電阻,該電阻將超低的電阻值與面向電流感應應用的小容差及低TCR進行完美結合。

Vishay推出具有超低至10mΩ電阻值、±1%及±5%小容差(來源:廠商)
Vishay推出具有超低至10mΩ電阻值、±1%及±5%小容差(來源:廠商)

為在直流到直流轉換器、電源、電動機電路、計算機及手機中的電流感應及分流應用提供高穩定性,Vishay的CRCW....-EL濃膜功率電阻具有10mΩ~100mΩ的超低電阻範圍,容差僅為±1%及±5%。

該器件採用三種封裝尺寸︰0.1-W 0603、0.125-W 0805及0.25-W 1206。該電阻在-55°C~+155°C的工作溫度范圍內具有±100ppm/K、±200ppm/K、±300ppm/K、±400ppm/K 及±600ppm/K的低TCR。

關鍵字: 濃膜電阻  Vishay  電阻器 
相關產品
Vishay推出獲沉浸式許可的新尺寸IHPT觸覺回饋致動器
Vishay固體鉭模製片式電容器為電子爆震系統增強性能
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體
Vishay液態鉭電容器為軍事和航電應用提供高電容和穩健性
Vishay推出小尺寸薄膜環繞片式電阻器提供高達1 W功率
  相關新聞
» 應材於新加坡舉行節能運算高峰會 推廣先進封裝創新合作模式
» SEMI:2024年Q3矽晶圓出貨量增6% 終端應用發展冷熱不均
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» Vishay IGBT和MOSFET驅動器拉伸封裝可實現緊湊設計、快速開關
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
  相關文章
» 未來無所不在的AI架構導向邊緣和雲端 逐步走向統一與可擴展
» 延續後段製程微縮 先進導線採用石墨烯與金屬的異質結構
» 提升供應鏈彈性管理 應對突發事件的挑戰和衝擊
» 專利辯論
» 碳化矽基板及磊晶成長領域 環球晶布局掌握關鍵技術

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.220.97.161
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw