快捷半導體(Fairchild)P通道MOSFET─FDZ299P日前問世，其在小型的1.5X1.5mm BGA封裝內採用高性能的PowerTrench技術，比同級設備現時使用標準的SSOT-6或TSSOP-6封裝MOSFET，尺寸減少了75%。FDZ299P是電源管理設備的適用方案，適用範圍包括蜂巢式電話、PDA、可攜式音樂播放機、GPS接收器及數位相機等。

快捷-BGA封裝低電壓P通道MOSFET

FDZ299P提供低開關損耗(最大穩態電流為4.6A)，減少了寄生系統的耗用功率，而其最大封裝高度為0.8mm，因此可用於RF防護罩和內部元件及顯示器中。除封裝優勢外，新型FDZ299P元件可提供極低的RDS和低閘極電荷。快捷半導體可攜式產品應用市場開發經理Chris Winkler表示，『一般採用相同尺寸標準封裝的MOSFET無法耗散150mW以上的熱量，又或處理350mA以上的穩態電流，而FDZ299P具有1.7W的耗散功率，在熱性能和電流處理能力方面擁有相當不錯的表現。』