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深入解析新型Power Clip 33 Dual MOSFET (2013.10.07)
若干因素（包括矽材料的選擇、IC 佈局、功率電路組態）推動 Dual Power MOSET 的發展，使其在更小封裝內實現更高功率密度。 |
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ST推高耐用性及切換性能和效率之MOSFET產品 (2008.09.30)
意法半導體進一步提高照明安定器功率MOSFET的耐用性、切換性能和效率，功率MOSET被用於安定器及開關電源的功率因數校正器(PFC)和半橋電路內。 SuperMESH3的創新技術，結合更低的導通電阻，確保其擁有更高的效率 |
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ST推出250A功率MOSFET結合先進封裝和製程 (2008.07.20)
以降低如電動汽車等電動設備的營運成本和減少對環境的影響為目標，電源應用廠商意法半導體(ST)推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET，新產品STV250N55F3低導通電阻，可將功率轉換的損耗降至最低，並且能夠提升系統的性能 |
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IR推出25V DirectFET MOSFET晶片組 (2008.07.16)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出25V同步降壓轉換器DirectFET MOSFET晶片組，適用於負載點(POL)轉換器設計，以及伺服器、高端桌上型電腦和筆記簿電腦應用。
新25V晶片組結合IR最新的HEXFET MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，把高密度、單一控制和單一同步MOSFET解決方案整合在SO-8元件的佔位面積，並採用了0.7mm纖薄設計 |
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Linear推出多相位升壓DC/DC控制器 (2008.06.27)
凌力爾特(Linear)發表LTC3862，其為一款可透過精小接腳佔位提供高輸出功率的二相位升壓DC/DC控制器。其12個電源步階可被並聯及反相鎖住，以將輸入和輸出濾波之要求降至最低，4V 至36V之輸入電壓範圍，以及根據外部零組件選擇之寬廣輸出電壓範圍可涵蓋廣泛的高功率升壓應用 |
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Zetex新型無鉛MOSFET成功把電路面積減一半 (2008.03.11)
類比訊號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors(捷特科)公司，推出其首項採用無鉛式2 x 2毫米DFN封裝的MOSFET產品。這款ZXMN2F34MA元件的PCB面積比業內採用標準SOT23封裝的元件小50%，離板高度只有0.85毫米，適用於各類型空間有限的開關和功率管理應用，例如降壓/升壓負載點轉換器中的外部開關裝置 |
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IR新200V DirectFET MOSFET提供高達95%效率 (2006.11.23)
功率半導體和管理方案廠商–國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出IRF6641TRPbF功率MOSFET，以IR的基準DirectFET封裝技術配合IR最新的200V HEXFET MOSFET矽技術，達致95%的效率 |
