Diodes公司推出了新型高壓超級勢壘整流器 (SBR) 系列中的第一款元件SBR10U200P5。該系列採用專利且高熱效和小巧的PowerDI5封裝，具有完善的低熱阻效能，使SBR10U200P5能夠以比原本小40%的PCB面積實現雙倍的功率密度。

BR10U200P5正在申請專利中的封裝結構，能夠在緊湊的小尺寸封裝內，實現更高的功率耗散和浪湧效能，達到攝氏一百七十五度的最大額定結溫；額定雪崩 (Avalanche) 也比採用Dpak封裝的Schottky二極管競爭方案高出50%。SBR10U200P5使緩衝電路 (Snubber Circuit) 可以被移離電源輸出，有助電路設計人員減少產品成本和簡化設計。SBR10U200P5提供各項先進功能，成為電源輸出級中理想的輸出二極管元件，又可以用作降壓轉換器電路中的鉗位二極管 (Catch Diode)、馬達驅動電路中的續流二極管 (Freewheeling Diode)，或升壓二極管 (Boost Diode)。

Diodes 亞太區技術市場總監梁後權表示，SBR10U200P5體積極為細小的引線式10A整流器，額定電壓高至200V，能夠在10A額定電流和攝氏125度的結點溫度下，提供低至0.7V的正向電壓降 (VF)。該元件的離板封裝高度只有1.1毫米，只有Dpak封裝的一半，因此有助設計人員為終端應用中的小巧電源縮減電路面積及提高功率密度。應用範圍包括筆記簿型電腦的電源配接器、萬用充電器和電訊設備的電源等。