全球知名的高效能積體電路解決方案供應廠商的美商柏士半導體（Cypress Semiconductor）與Ramtron International Corporation子公司Enhanced Memory Systems宣佈共同發表全世界最高密度的SRAM，全新的72Mb的「無延遲匯流排（NoBL，No Bus Latency）」burst SRAM系列產品是針對網路通訊市場所設計，特別適合應用於2.5 Mb/sec的OC-48及其以上介面的高速交換器和路由器，並採用Enhanced Memory Systems公司專利的單電晶體增強型SRAM技術（one-transistor Enhanced SRAM，one-transistor ESRAM），可擁有與傳統六個電晶體SRAM（6T方案）相同的傳輸速度，卻大幅提昇產品四倍密度及減少四倍的功率消耗。

72Mb NoBL SRAM

Cypress台灣分公司總經理王春山表示：「Cypress的72Mb NoBL burst SRAM產品將繼續延續我們在網路通訊記憶體市場的領導地位。我們與Enhanced Memory Systems之間的合作開發，已建立一個若採用6T技術要等到2004年才會問市的產品，這代表了Cypress在SRAM領域創下了另一個業界首見的開發產品先例。」

Enhanced Memory Systems行銷副總裁Dave Bondurant則表示：「72Mb NoBL burst SRAM是一系列採用我們單電晶體ESRAM專利技術產品中的首項上市元件，我們與Cypress之間的合作有助於雙方進一步擴展高密度SRAM市場。」72Mb NoBL burst SRAM是由Cypress與Enhanced Memory Systems共同開發，雙方並將共同推動新產品的銷售。

Cypress 表示，72Mb NoBL burst SRAM採用2 Mb x 36模式，並以最高166-MHz時脈速率進行作業，可於four-word read/write/read執行過程中能提供100%完整的匯流排頻寬。目前供應2.5V和3.3V版本，與100-pin TQFP和119-pin PBGA封裝等選擇。功率消耗與目前仍是技術領先的18 Mb SRAM產品相同，僅需消耗採用6T組態的四分之一功率，其針腳、功能與時序均相容於Cypress的NoBL SRAM系列產品，為需要較大SRAM緩衝記憶體的網路系統提供最佳的升級方案。