快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出兩種高電壓 MOSFET元件，採用快捷半導體新型SuperFET技術，能大幅降低交換式電源供應器 (SMPS) 和功率因數校正 (PFC) 應用的系統功率損耗，同時提高效率和可靠性。快捷半導體的專有SuperFET技術利用數個外延層組成補償區域，以改善導通阻抗性能。全新的FCP11N60和FCPF11N60 SuperFET MOSFET具有低封裝性能因數 (FOM = RDS(on) x Qgd)，與擁有相同RDS(on) 水平的產品相比，FCP11N60具有最佳的 FOM。

FCP11N60和FCPF11N60均提供業界最佳的 di/dt (最大值為1430 A/us)，這是由於它們具有較寬的基底二極體剖面，確保擁有更強大的堅固性、超低RDS(on) (典型值為0.32 ohm)，以及低輸出電容 (典型值為Coss=35pF)。與TO-3P封裝的標準平面MOSFET提供的導通阻抗相同，快捷半導體全新TO-220和 TO-220F 封裝 MOSFET同時提供更高的功率密度。FCP11N60和FCPF11N60提供最佳化的柵極電荷水平 (典型值為Qg=40nC)，可降低柵極驅動器功耗和開關功率損耗。

快捷半導體高功率產品部副總裁Taehoon Kim表示，「快捷半導體的SuperFET高電壓 MOSFET系列產品為設計人員以相同儲存能量提供相對較低的輸出電容 -- 這對於SMPS應用特別有利。」

新型FCP11N60和FCPF11N60分別採用TO-220和TO-220F封裝。這種無鉛產品達到甚或超越了聯合IPC/JEDEC的J-STD-020B標準要求，並符合將於2005年生效的歐盟標準。SuperFET MOSFET的推出與快捷半導體用於SMPS和DC/DC轉換應用的解決方案相輔相成，包括PFC/PWM控制器、橋式整流器和光耦合器。