國際整流器公司（International Rectifier），推出IRF6156型20V雙重雙向式HEXFET功率MOSFET。該元件採用共同汲極配置，與採用TSSOP-8封裝的元件比較起來，除了體積減少了80%之外，厚度更大幅減少到0.8 mm以下。

IRF6156

IRF6156採用IR專利FlipFET封裝技術，由於體積小巧，非常適合應用在鋰電池內的安全及保護電路，適用於行動電話、筆記型電腦、PDA及數位相機等電子產品。

IR表示，由於鋰電池為易燃品，為了避免過度充電而造成危險，必須採用保護電路以確保安全。除此之外，保護電路亦適用於偵測短路情況，同時隔離電池與負載。

IR的專利FlipFET封裝不含引線架或模塑化合物，晶片本身就是封裝，成功將結點至印刷電路板的熱阻減低至35°C/W，而SO-8封裝元件的熱阻卻高於60°C/W。此外，新設計的最大結點至環境熱阻為50°C/W。IRF6156各個接頭均設於晶片同一面，能將雜散電感及其他元件封裝損耗減至最低，甚至完全消除。

IR台灣分公司總經理朱文義表示:「我們的FlipFET MOSFET非常適用於體積日益輕巧的手持設備，不但不影響電池的供電能力，廠商還可利用標準表面貼裝設備和技術把新元件裝入印刷電路板，提供更多的便利。」