亚德诺半导体（ADI）推出一款高功率（44 W峰值）单刀双掷（SPDT）矽开关ADRF5130，可让设计人员缩减蜂巢式无线电系统的硬体尺寸和偏压功耗。新一代通信基础设施的资料容量越来越高，蜂巢式无线电前端必须缩小尺寸并提供更快的速度以满足更高资料使用量的需求。 ADI公司的 ADRF5130 开关藉由高整合​​度来满足这些需求，无需外部元件。另外，该开关采用低压单电源供电，功耗更低，效率更高，电流消耗显著低于现有PIN二极解决方案。ADRF5130利用矽技术制造，采用小型4 mm × 4 mm LFCSP SMT封装。

单刀双掷矽开关ADRF5130可让设计人员缩减蜂巢式无线电系统的硬体尺寸和偏压功耗。

ADRF5130 的额定工作频段为 0.7 GHz 至3.5GHz，插入损耗典型为0.6 dB、具有50 dB的高隔离度和+ 68 dBm的出色线性度，连续工作模式下，可处理44 W的峰值功率。该元件的所有接脚都具有强固的2000V静电放电（ESD）保护。它还整合一个快速CMOS 相容控制介面，切换时间不到1 us。此外，在高功率应用中，其对称式电路架构允许射频输入互换使用。 （编辑部陈复霞整理）