新的KAE-02150图像传感器结合行间转移CCD及电子倍增技术，为工业应用在日光及星光下提供微光影像撷取性能

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推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）推出新类别的电荷耦合组件（CCD）图像传感器技术，为微光成像在工业市场树立了新基准。此新技术结合安森美半导体的行间转移（Interline Transfer；IT）、 CCD画素设计及新开发的电子倍增（Electron Multiplication；EM）输出结构，使图像传感器方案能够为极微光成像提供亚电子（sub-electron）噪声性能，并维持CCD级图像质量和均匀性。KAE-02150是首款采用新技术的图像传感器，能在日光到星光、高光到背光等差异极大的光照条件下撷取1080p（1920 x 1080）影像，因而大幅拓展单一摄影机成像系统的成像能力。这在极缺乏光照的应用中尤为有利，如监控、防卫/军事、科学及医疗成像、智能交通系统。

安森美半导体图像传感器业务部副总裁Chris McNiffe表示，KAE-02150图像传感器是我们首款充分利用新的行间转移EMCCD技术的组件，为客户提供最先进的成像方案。CCD组件的优异图像质量及均匀性扩展至极微光条件，使工业市场的客户能在高难度成像条件下获得全新的高阶性能。

KAE-02150采用创新的输出电路设计，用于同一图像内以逐一像素为基础利用传统CCD（低增益）或EMCCD（高增益）输出，支持高动态范围（HDR）成像。测量各个单独画素的电荷，并比较讯号位准与拍照系统中用户可选择的阈值，以确定各个电荷包（packet）的路由位置。场景中极微光照区域的画素可以选择性地路由至EMCCD输出，而图像中明亮区域的画素（通常可能会使EMCCD缓存器饱和并使图像失真），会路由至传统CCD输出放大器。

有了这种场景内可切换增益特性，两种输出的讯号因而可以重新组合，使单一摄影机能够恰当地在暗处呈现明亮的区域，能够提供变化光照条件下的动态补偿，如车前灯进入或离开微光的场景。

新的KAE系列器件基于TRUESENSE 5.5微米IT-CCD平台已证明行之有效性能。此IT-CCD平台带有全局快门、优异图像均匀性、调制转换函数（MTF），用于当今100万画素至2,900万画素的宽广阵容组件。KAE系列将会扩充，加入额外的光学格式、分辨率及画素大小。KAE-02150现已提供样品，具备单色及拜耳色彩配置；2014年底前将提供包含硬件及软件的评估套件。

KAE-02150图像传感器于2014年11月4日至6日在德国斯图加特2014 VISION展览会上的安森美半导体展位（1C82）上展示。（编辑部陈复霞整理）