意法半导体（ST）积极开发与航天应用相关的抗辐射产品组合，推出两款并联式电压基准（shunt Voltage References）芯片。RHF1009A是一款可在2.5至5.5V的范围内调整电压的电压基准芯片；而RHF100则是一款维持1.2V固定电压的电压基准芯片。

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这两款电压基准芯片特别为航天应用领域所设计，具有可抵挡强烈太空辐射的高耐受度，其针脚与市面上工业规格的装置兼容。两款新产品均已通过了国防后勤局（DLA）的QML-V认证，并因其稳定优秀的性能，正式进入欧洲组件优先选用目录（European Preferred Parts List；EPPL），可供欧洲航天硬件及相关设备的制造商选购。

两款组件皆采用意法半导体的250奈米BiCMOS制造技术，这项技术经多年量产消费性应用芯片与要求更为严格的航天、汽车、医疗设备IC以及其他抗辐射产品（如模拟数字转换器）的验证。

这两款组件具有多项优异性能，包括仅仅5ppm（典型值）的温度系数、经由雷射校对可达+/- 0.15%的精确度以及组件之间卓越的温度曲线匹配性；而宽达40μA至12mA的负极电流幅度，可确保在维持灵活性的同时提供高精准度和稳定性。

除了优异的电气性能之外，两款新产品还拥有同等级中最佳的电离总剂量（Total Ionizing Dose；TID）和单一事件效应（Single Event Effect；SEE）的抗辐射性能，无ELDRS的效能高达300krad（当剂量率至高点时，芯片的主要参数仍可保持稳定），完全不受单一事件闭锁效应（Latch-up）的影响，发生单一事件瞬态效应的机率极低。辐射效应持续的时间很短，对振幅的影响也很低。

新产品在欧洲设计、并在取得认证后开始制造，拥有丰富的特性数据、全套的整体模型（Pspice、Eldo、ADS）以及展示板。