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东芝推出新一代Superjunction功率MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2018年08月31日 星期五

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东芝电子元件及储存装置株式会社(东芝)推出新一代650V Superjunction功率MOSFET - TK040N65Z其用於资料中心的伺服器电源、太阳能(PV)功率调节器、不断电系统(UPS)及其他工业应用。此IC已开始量产出货。

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TK040N65Z为东芝DTMOS VI系列首款650V元件,支援57A连续汲极电流(ID)及228A脉冲电流(IDP)。提供0.04Ω(0.033Ω典型值)的超低汲源极导通电阻RDS(ON),以减少电源应用的损耗。更低的电容设计,使其IC成为现代高速电源应用首选元件。

改善并压低主要性能系数- RDS(ON) x Qgd,电源效率随之提高。相较於上一代DTMOS IV-H产品,TK040N65Z在此系数降低了40%,表示在2.5kW PFC电路效率表现上将会显着地上升0.36%。

新产品为工业标准TO-247封装,不论在传统设计或是新应用上皆便於使用。

關鍵字: MOSFET  东芝 
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