飞凌日前宣布推出新型 ThinPAK 8x8 无铅 SMD 封装的高压 MOSFET。新型封装面积仅有 64mm² (小于 D2PAK 的 150mm²),且高度仅 1mm(低于 D2PAK 的 4.4mm),不但尺寸极小,又具备标准的低寄生电感,为设计人员提供一个全新且有效缩小系统方案尺寸的功率密度设计。英此高度 1mm 的新型表面黏着封装,将TO-220 业界标准芯片尺寸置于面积仅 8x8mm 的无铅外壳内,并具备裸露的金属汲极接垫,可有效排除内部产生的高温。其精巧的体积可让设计人员设计出更轻薄的电源供应器外壳,满足现今市场对轻巧时尚新产品的需求。目前已经有两家公司采用此新标准:英飞凌及意法半导体将推出采用此创新封装方式的 MOSFET,分别命名为 ThinPAK 8x8(英飞凌)及PowerFLAT 8x8 HV(意法半导体),为顾客提供高质量的产品选择。
![英飞凌新型 ThinPAK 8x8 无铅 SMD 封装的高压 MOSFET](/news/2010/05/07/1356597454.jpg) |
英飞凌新型 ThinPAK 8x8 无铅 SMD 封装的高压 MOSFET |
英飞凌高压 MOS 功率离散组件产品线经理Jan-Willem Reynaerts表示:「此类封装为高压 MOSFET 专用的无铅 SMD 封装设立了新的市场标准,我们并与意法半导体共同宣布推出采用此封装的产品。诸如 CoolMOS等硅晶技术已在效率及快速转换方面占有相当的优势,反观传统插入式(through-hole)封装成为产品节能与功率密度升级之限制。」
ThinPAK 8x8 封装的特性为:来源电感极低,仅2nH(D2PAK 为 6nH)、独立的驱动器来源连接(纯闸信号)以及与 D2PAK 类似的散热效能。因此,ThinPAK 8x8 能够支持更快速且更有效的Power MOSFET 转换,并更轻松地处理晶体切换及EMI问题。
英飞凌将先针对 600V CoolMOS组件推出三种封装方式的版本:199 mOhm (IPL60R199CP)、299 mOhm(IPL60R299CP)及 385 mOhm(IPL60R385CP)。