意法半导体（ST）于日前宣布，扩大采用第六代STripFET技术的高效功率晶体管産品系列，爲设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择。

ST扩大第六代功率MOSFET産品系列

ST表示，最新的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET，可承受高达80V的电压，可用于太阳能发电应用（如微型逆变器）、电信设备、网络设备以及服务器电源。高额定电压可准许晶体管在48V电信应用中稳定工作，高能效并可有效降低营运业者的网络成本。此外，这项技术不仅可降低消费性电子的电源能耗，更可使其在更低的温度下工作，从而提高用户的使用体验，并延长电池寿命。

首批推出的5款産品分别为60V 的STP260N6F6和STH260N6F6-2、75V的 STP210N75F6 和STH210N75F6-2以及80V的STL75N8LF6。由于采用了意法半导体最新的DeepGATE信道MOSFET架构，这五款産品拥有同类産品最低的每单位面积导通电阻。这些低损耗组件采用多种不同的微型工业标准封装，使客户能够提高系统能效，同时降低印刷电路板的尺寸和总体组件数量/成本。