意法半导体的STW78N65M5和STW62N65M5是业界首款采用深受市场欢迎的TO-247封装的650V AEC-Q101车规MOSFET。在高电压突波（high-voltage spikes）的环境中，650V额定电压能够?目标应用带来更高的安全系数，有助于提高汽车电源和控制模块的可靠性。这两款组件拥有极低的导通电阻（RDS（ON）），分别?0.032Ω 和0.049Ω，结合精巧的TO-247封装，可提高系统能效和功率密度。

TO-247封装的650V车规MOSFET BigPic:341x493

新?品市场领先的性能归功于意法半导体的MDmesh V 超接面（super-junction）技术。此项技术可制造单位硅面积导通电阻RDS（ON）极低的高电压组件，使芯片的封装尺寸变得更小。闸电荷（Qg）和输入电容也极低，因此，Qg x RDS（ON）质量因子（figure of merit，FOM）极其出色，并拥有高开关性能和能效。此外，其优异的抗雪崩（avalanche）特性可确保组件在持续高电压环境中拥有高耐用性。

MDmesh V整合意法半导体专有的垂直式制程（vertical process）技术和经市场验证的PowerMESH水平式架构（horizontal architecture），导通电阻较同等级的MDmesh II组件减少大约50%。

意法半导体采用TO-247封装的650V车规MOSFET现已量?。