意法半导体的STW78N65M5和STW62N65M5是业界首款采用深受市场欢迎的TO-247封装的650V AEC-Q101车规MOSFET。在高电压突波(high-voltage spikes)的环境中,650V额定电压能够?目标应用带来更高的安全系数,有助于提高汽车电源和控制模块的可靠性。这两款组件拥有极低的导通电阻(RDS(ON)),分别?0.032Ω 和0.049Ω,结合精巧的TO-247封装,可提高系统能效和功率密度。
![TO-247封装的650V车规MOSFET BigPic:341x493](/news/2013/08/14/2101365960S.jpg) |
TO-247封装的650V车规MOSFET BigPic:341x493 |
新?品市场领先的性能归功于意法半导体的MDmesh V 超接面(super-junction)技术。此项技术可制造单位硅面积导通电阻RDS(ON)极低的高电压组件,使芯片的封装尺寸变得更小。闸电荷(Qg)和输入电容也极低,因此,Qg x RDS(ON)质量因子(figure of merit,FOM)极其出色,并拥有高开关性能和能效。此外,其优异的抗雪崩(avalanche)特性可确保组件在持续高电压环境中拥有高耐用性。
MDmesh V整合意法半导体专有的垂直式制程(vertical process)技术和经市场验证的PowerMESH水平式架构(horizontal architecture),导通电阻较同等级的MDmesh II组件减少大约50%。
意法半导体采用TO-247封装的650V车规MOSFET现已量?。