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恒忆推低价、低功耗 DDR接口非挥发性RAM
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎报导】   2008年08月04日 星期一

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内存厂商恒忆(Numonyx)宣布推出 Velocity LP NV-RAM产品系列,此系列低功耗双倍数据传输速率 (LPDDR) 非挥发性内存,不但可以提供移动电话和消费性电子产品制造商更高的内存效能,而且低价格。相较于传统NOR Flash内存,这些装置在提供高DRAM内容平台低成本解决方案的同时,还可达到两到三倍速读取带宽的效能提升。恒忆Velocity LP NV-RAM系列的推出也为该公司未来相位变化内存(PCM)产品提供了无缝的绝佳架构途径。

无线电话中的数字影像、视讯、游戏及其他应用程序持续需要大量的内存,为满足这样的需求,大多数的移动电话制造商采用结合如NOR、NAND等非挥发性内存以及昂贵的RAM技术。其中由于各种内存类型需要不同的硬件和软件接口,经常迫使设计人员在内存系统效能与支持更多接口之间得做出妥协,也因而提高系统成本。

恒忆Velocity LP NV-RAM将系统中不同的执行内存的特性结合在一个广为接受LPDDR接口上,有助于简化系统架构、提升速度并降低成本。由于此一非挥发性内存也具有执行功能,因此设计人员可以RAM速度读取数字内容,并降低系统的LP RAM需求以减少内存系统成本,此接口同时可协助系统架构人员使用相同架构来扩展内存系统,以支持从低阶到高阶的各种电话

恒忆 无线通信产品事业群副总裁暨总经理Marco Dallabora表示,延续恒忆在无线非挥发内存市场的领先地位,恒忆Velocity LP NV-RAM采用经验证的65奈米非挥发内存技术,率先推出LPDDR-NVM接口的领导功能。恒忆的目标是协助OEM推出符合成本效益的高效能电话,并开始针对无线市场推出PCM型装置。

關鍵字: RAM  恆憶  Marco Dallabora  动态随机存取内存 
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