Rambus公司27日宣布推出多项创新技术，可将主存储器运算效能从现有的DDR3数据速率限制提升到3200Mbps。透过这些创新技术，设计人员可达到更高的内存数据速率及更有效的传输性能及更佳的电源效率，同时增加需要的容量，以符合未来运算应用的需求。

Rambus研究员Craig Hampel指出，正因内存子系统是现今效能运算系统效能受限的主因，今日产品在多核心运算、虚拟化及芯片整合方面的进展驱动了市场对内存子系统需求的提升。Rambus发表的突破性创新技术可协助内存系统，使其有效支持流量导向的多核心处理器中的带宽及工作量，因此可提升未来主存储器的设计及空间，促进新一代运算平台的问世。

Rambus针对主存储器发表的关键创新技术包括：

•FlexPhase技术—导入于XDR内存架构中，可突破DDR3直接存取技术（direct strobing technology）的速度限制，以提升数据速率。

•Near Ground Signaling—可以大幅减少的IO电源达到高效能，即便以0.5V进行运作仍然能够维持绝佳的讯号完整性。

•FlexClocking架构 — 导入于Rambus行动内存（Mobile Memory Initiative），可省却DRAM的延迟锁定回路（DLL）或相位锁定回路（PLL），以降低频率功耗。

•模块线程技术（Module Threading）—提升内存效率并减少DRAM核心功耗，而且在结合Near Ground Signaling及FlexClocking技术时，可节省超过40%的整体内存系统功耗。

•动态点对点（DPP）—提供透过强大的点对点讯号处理途径进行容量升级，完全不影响效能。