Cypress公司4日宣布推出业界首款采用65奈米线宽的Quad Data Rate（QDR）与Double Data Rate（DDR）SRAM组件。此新款72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+内存，采用与晶圆代工伙伴联华电子合作开发的制程技术。

65奈米制程SRAM

新款SRAM具备550 MHz的频率速度，及I/O宽度36-bit总数据传输率达80 Gbps的QDRII+组件，所用功耗仅需90奈米SRAM一半。它们适合用在各种网络应用，包括因特网核心与边缘路由器、固定式与模块化以太网络交换器、3G基地台、以及安全路由器，并能提升医学成像与军用讯号处理系统的效能。新款组件与90奈米SRAM针脚兼容，让网络产业的顾客在提高产品效能与增加链接埠密度同时，仍可维持相同的机板配置。

相较于先前的90奈米组件，65奈米QDR与DDR SRAM可降低高达60%的输入与输出电容。QDRII+与DDRII+组件有内建讯号终端电阻（ODT），可藉由省去外部终端电阻，以提高讯号完整性、降低系统成本、及节省电路板空间。65奈米组件采用锁相回路（PLL），而不是延迟锁相回路（DLL），可加宽35%的数据验证窗口，以协助客户缩短研发时间并降低成本。

65奈米QDRII、QDRII+、DDRII、及DRII+ SRAM产品目前都已可提供样品，预计2009年第三季开始量产。每款组件均提供多种组态，包括不同的I/O宽度（x18或x36）、不同的突发传输周期（B4或B2）、以及不同的延迟（1.5、2.0或2.5）。65奈米72-Mbit SRAM提供标准165 pin的FBGA封装，并和现有90奈米QDR与DDR组件针脚兼容，让业者能轻易转移。