Vishay宣布，该公司正推出率先采用其创新型PolarPAK封装的两款功率MOSFET，该封装使用双面冷却，可降低热阻、封装电阻及封装电感，从而实现更高效、更快速的开关功率MOSFET。PolarPAK经过专门设计，可轻松处理及安装到采用高速组装设备的PCB上，从而在大批量生产中可实现高组装良品率。这是PolarPAK为什么赢得了具有双面冷却特性的第一个MOSFET封装这一声誉的原因之一，自2005年3月Vishay与STMicroelectronics缔结使用许可协议开始，多家厂商将采用该封装。

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首款PolarPAK功率MOSFET为30V n信道SiE802DF与SiE800DF。SiE802DF专为同步整流直流到直流转换器中的低端控制开关进行了优化，该器件在10V栅极驱动时具有最大1.9毫欧的超低导通电阻（在4.5V 时最大为2.6毫欧），并且可处理高达60A的电流。SiE800DF专为用作同步直流到直流转换器设计中的低占空比高端MOSFET而进行了优化，该器件具有12 nC的超低典型栅极电荷Qg，在10V时其导通电阻最大为7.2毫欧，在4.5V时为11.5毫欧。

这两款新型PolarPAK功率MOSFET具有与标准SO-8封装相同的占位面积，它们上表面的热阻为1°C/W，下表面的热阻为1°C/W。这提供了两条散热路径，从而使这两款器件的电流密度比标准SO-8高一倍。凭借更高的结-环境热阻抗，PolarPAK功率MOSFET可处理更高功率或以更低的结温运行。更低的结温意味着更低的rDS(on)，从而意味着更高的效率。结温降低20°C还可使使用寿命可靠性提高2-1/2倍。