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【CTIMES/SmartAuto 蔡維駿报导】   2012年04月10日 星期二

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英飞凌(Infineon) 日前宣布,扩展其车用功率半导体系列产品,推出全新 650V CoolMOSTM CFDA。这是整合高速本体二极管技术的超接面 MOSFET 解决方案,符合最高的汽车认证标准 AEC-Q101。650V CoolMOSTM CFDA 专为谐振拓朴所设计,例如混合动力车和电动车的电池充电、DC/DC 转换器和 高强度气体放电灯 (HID)。

英飞凌新推出的解决方案结合了快速切换超接面 MOSFET 的所有优点:更出色的轻载效率、降低闸端电荷、降低切换损失、易于建置,以及卓越的可靠性。

英飞凌推出的优异解决方案,满足汽车产业应用对能源效率的更高需求:全新 650V CoolMOSTM CFDA 提供更低的区域特定导通电阻,同时还拥有可轻易控制切换特性,以及最耐用的本体二极管。本体二极管重复性整流的 Qrr 和 Qoss 较低,可以减少切换损耗,并缩短开关延迟时间。

快速电流和电压瞬变的完善控制能力,及更为出色的软性换流行为,能够降低电磁干扰 (EMI) 现象,使得此一全新产品系列显著胜出竞争产品。本体二极管在硬式换流时会对电压过冲加以限制,让实作配置及设计时变得更简单。CoolMOS CFDA 提供 650V 崩溃电压,亦即其边际安全性比 600V 更高。

關鍵字: 車用功率半導體  Infineon 
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