【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon) 扩增旗下CoolMOS技术产品系列，推出600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7) 系列，能够以600 V崩溃电压运作，具有更佳的超接面MOSFET效能，可让各种目标应用达到无可比拟的功率密度。

英飞凌新款高压MOSFET系列的目标应用包括充电器、适配器、照明、电视、PC 电源、太阳能、伺服器、电信及EV充电等...

600 V CoolMOS P7：高效率和易用性的最适组合

新推出的P7 在一体化设计的流程中提供出色的易用性，基准的效率和最佳化的性价比，目标应用包括充电器、适配器、照明、电视、PC 电源、太阳能、伺服器、电信及EV充电等，可涵盖100 W至15 kW的功率等级。 600 V CoolMOS P7可在各种拓朴中实现多达 1.5% 的效率提升，温度改善亦较竞争产品多达 4.2°C。

600 V CoolMOS P7 产品拥有 37 m? 至 600 m? 的宽广通态电阻RDS(on) 范围，提供表面黏着 (SMD) 或插入型封装，适合多种应用与功率范围。此外，超过 2 kV (HBM) 的卓越 ESD 耐用性，可保护装置避免因生产过程中的静电放电而损坏，进而提升了制造品质。最后，强固的本体二极体则能在 LLC 电路的硬式换流事件中保护装置。

600 V CoolMOS C7 Gold：创新 SMD TO 无引线封装实现同级最佳 FOM

G7 具有更低的通态电阻RDS(on)、最小的闸极电荷QG、更低的输出电容储存电力以及TO 无引线封装提供的4 接脚Kelvin 源极功能，可将PFC 与LLC 电路的耗损降到最低，实现0.6% 的效能提升，并提高PFC 电路的全负载效率。低寄生源电感仅 1 nH，亦有助于提高效率水准。

TO 无引线封装拥有更佳的散热性，适用于更高电流的设计。而SMD技术则有利于节省黏着制程成本。此外，600 V CoolMOS C7 Gold 拥有业界最低的 RDS(on)，介于 28 m?至150 m?。相较于传统的D2PAK封装，其尺寸缩小30%、高度减少 50%、空间节省 60%。综合上述特性，使本产品极适合应用于伺服器、电信、工业与太阳能等需求最高效能与基准功率密度的应用。

600 V CoolMOS P7 与 600 V CoolMOS C7 Gold 系列均已量产，亦可订购样品。