國際整流器公司（IR）近日發表耐壓200V的IRF7492和耐壓150V的IRF7494 HEXFET N通道功率MOSFET。相較於市場上同類型元件，新元件的導通電阻減少56%，柵漏電容(Miller電容)電荷減少50%。IR表示，新MOSFET是特別為Forward或Push-Pull轉換器中的一次側開關應用而設，適用於電信及網路系統中的板上型功率模組。

國際整流器公司（IR）

IR台灣分公司總經理朱文義表示，「MOSFET的主要參數計有元件導通電阻和柵電荷。這些參數對電路整體性能具有一級效應。全新IRF7492和IRF7494元件以IR最新溝道科技製造，能夠減少傳導和開關損耗，並且提升整體效率。」

IRF7492及IRF7494具有低導通電阻（RDS(on)）和柵電荷，適用於達500kHz的直流-直流轉換器開關應用系統，柵電壓最高達到20V。