國際整流器公司(IR)日前推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台利用IR新一代溝道閘極場截止技術。

IR推出全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台

Gen8設計讓Vce(on) 能夠減少功耗，增加功率密度，以及提供耐用性。IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR透過開發全新基準技術及頂尖的IGBT矽平台，彰顯出我們在數十年來致力提升功率電子技術的承諾。我們期望為所有電動馬達提供百分百變頻，藉以更有效使用電能，並且綠化環境。」

新技術針對馬達驅動應用提供更好的軟關斷功能，有助於把dv/dt減到最低，從而減少電磁干擾和過壓，以提升可靠性與耐用性。這個平台的參數分布較狹窄，在高電流功率模組內並聯起多個IGBT之時，可帶來出色的電流分配。薄晶圓技術則改善了熱阻和達到175°C的最高結溫。

潘氏稱：「IR的Gen8 IGBT平台旨在為工業應用提供卓越的技術。該IGBT平台憑藉頂尖的Vce(on)、超卓的耐用性及一流的開關功能，把工業市場所面對的艱巨難題迎刃而解。」