帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
富士通推出256Mbit Mobile FCRAM產品
符合COSMORAM Rev.4之規格

【CTIMES/SmartAuto 陳麗潔報導】   2006年11月28日 星期二

瀏覽人次:【1575】

香港商富士通微電子台灣分公司,宣佈推出全新Mobile 256Mbit FCRAMTM(快速循環隨機存取記憶體)。此款Mobile FCRAM採用富士通FCRAM核心技術,是一個擁有SRAM介面的虛擬靜態隨機記憶體(PSRAM),具高速運算及低功耗,適用於手機等各種手持式裝置之應用。

富士通256Mbit  Mobile FCRAM產品(圖:廠商提供)
富士通256Mbit Mobile FCRAM產品(圖:廠商提供)

此款型號為MB82DDS08314A的Mobile FCRAM採用DDR突發模式,符合Mobile RAM(COSMORAM) Revision 4通用規格之要求,並具備以下特點:DDR同步突發模式、多重位址/資料介面、每秒最高可達1GByte的高速資料傳輸速度、短暫延遲模式能縮短最初存取時間。

富士通微電子市場總監莊健偉先生表示:「目前高階手機均需要具備如數位相機、數位攝影機和數位地面廣播串流等各種功能。因此,可以預見的是像Mobile? FCRAM這種高密度、高運算速度及低功耗的記憶體產品,將成為未來手機市場中不可或缺的元件。富士通的FCRAM系列產品所提供的高速資料傳輸速率,可在目前既有的PSRAM平台上,提升手機中的各種功能。此外,此款全新MB82DDS08314A元件可藉由多重位址與資料匯流排,將元件針腳數降到最低,協助客戶省去複雜的機板設計。」

富士通針對手機市場推出pseudo SRAM,為了滿足市場對高速記憶體的需求,富士通分別推出32Mbit/64Mbit與128Mbit的突發模式Mobile FCRAM系列產品。

除了新款DDR突發模式的Mobile FCRAM,富士通也提供符合傳統COSMORAM Rev.3規格的256Mbit SDR Mobile FCRAM(型號為MB82DDS08314A),為需要內建SDR PSRAM介面的高密度RAM的客戶,提供另一種解決方案。

關鍵字: 香港商富士通微電子  莊健偉  動態隨機存取記憶體 
  相關新聞
» 日本SEMICON JAPAN登場 台日專家跨國分享半導體與AI應用
» MONAI獲西門子醫療導入應用 加快部署臨床醫療影像AI
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.23.101.241
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw