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聯電率光推出0.13微米2M SRAM
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2000年05月21日 星期日

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就當台積電5月16日即將於美國矽谷舉辦年度技術論壇研討會,並陸續發佈0.15微米的多項產品成功於近日量產之際,台積電頭號競爭對手聯華電子5月15日宣佈,已成功採用0.13微米邏輯製程產出2M SRAM晶片,並於五月初產出,良率達到一定水準,成為業界宣佈最早量產0.13微米的產品。聯電預估,0.13微米的產品可望於年底前進入量產階段;台積、聯電晶圓代工雙雄隔海叫陣、對戰的熱度已再度升溫。

關鍵字: 0.15微米  0.13微米  台積電(TSMC聯華電子  靜態隨機存取記憶體 
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