飛思卡爾半導體發表第七代高電壓(HV7)射頻LDMOS技術,此項技術可以滿足WiMAX基地台在3.5 GHz頻帶中運作時所需的射頻功率放大器效能。
飛思卡爾表示,即使飛思卡爾已經具備12V砷化鎵擬態高速移動電子電晶體(PHEMT)的產品線,該公司仍計畫繼續研發高電壓砷化鎵PHEMT技術,專供設計WiMAX系統內的高功率砷化鎵元件、以及其它在2 GHz至6 GHz間運作的應用所需。由於飛思卡爾同時提供了射頻LDMOS及砷化鎵PHEMT這兩種技術的功率電晶體,因此該公司的射頻解決方案幾乎可以支援所有高功率的無線設備–其中LDMOS的效能可達3.8 GHz、而砷化鎵PHEMT的效能更高達6 GHz。
飛思卡爾射頻產品部門的副總裁暨總經理Gavin P.Woods表示:「由於飛思卡爾在第七代高電壓射頻LDMOS技術上的最新進展,我們已經在未來的WiMAX及其它高頻市場中搶得先機,飛思卡爾原本研發的高電壓砷化鎵技術,不但仍是市場上同質產品中效率最佳者,同時也將基礎設備的運作頻率推上6 GHz。」