IDT公司推出200 MHz 9百萬位元克交換存儲單元式雙埠產品，可提供優秀的性能和密度。與另一種依靠多內部管芯的9百萬位元雙埠解決方案不同，IDT以單管芯配置提供這些高密度的器件，在性能、功能、功率管理、可靠性和位成本上具有顯著的優勢。這些優勢對於包括交換機、路由器和存儲網路在內的高寬頻應用是至關重要的。IDT的新器件能進行快速資料傳輸，有助於亞洲設計人員提高系統靈活性，大幅降低位成本，同時獲得額外資料存儲功能，降低系統成本。

IDT 70V7519(Bank-Switchable Dual-Port)

IDT公司亞太區銷售及行銷總經理林勝義表示，"IDT推出的200 MHz可交換存儲單元式雙埠記憶體大大加強了亞洲設計人員在多處理器系統環境下共用高密度存儲資源的能力，同時能滿足設計所需的靈活性。這些器件的量產將為亞洲客戶提供業界最低成本的多埠解決方案，以具競爭力的系統成本提供卓越的性能。"

IDT表示，與上一代可交換存儲單元是雙埠產品相比，新器件在133MHz速度等級上能減少30%的功耗，在166MHz速度等級上減少15%功耗。36位和18位器件均有3.3伏或2.5伏輸入/輸出模式可供選擇，3.3伏支援高達 200 MHz的速度，2.5伏支援166 MHz的速度。

器件的匯流排頻寬、電壓和操作速度十分靈活，可為設計人員提供與新型網路處理器、數位信號處理器(DSP)和上代同類設備的介面。新器件與早期的多埠器件採用同樣的管腳有助於客戶無縫升級到更高速度和密度產品。

高速可交換存儲單元式雙埠產品採用通用存儲陣列，64個存儲單元構成，並由多路電路環繞，每個埠可在任何存儲單元存取。它在頻寬、頻率和電壓不同的各種匯流排上均支援高達200MHz的頻率。雙埠產品的各埠自有獨立時鐘，能在匯流排上以不同頻率運行，甚至在不同的電壓下運行。兩個埠還可同時運行寬頻加倍。雙埠記憶體的同步存取功能和同步介面有效的改善了產品性能，簡化了設計程式，縮短了產品問世時間。200MHz的工作頻率支援14Gbps高速資料傳輸，而3.3伏的核心工作電壓則降低了功耗。