帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR推出一系列新一代500及600V高壓IC
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2006年08月25日 星期五

瀏覽人次:【10183】

功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出一系列新一代500及600V高壓IC(HVIC)。這19款新IC採用半橋設計,配備高端和低端驅動器,適用於包括馬達控制、照明、開關式電源、音效,以及平板顯示器等廣闊的應用。新元件提供單一或雙輸入、欠壓閉鎖保護、為半橋驅動器而設的固定或可編程停滯時間,並可以推動電流最高至2.5安培。

/news/2006/08/25/1819509322.jpg

G5 HVIC已通過多項品質和可靠性測試,並且接受了長期的可靠性測試,確認堅固程度超越產品在個別應用環境下的預期可用壽命。這項認可要求元件通過數項應力測試,包括一項長達2,000小時的高溫偏壓測試,讓元件接點的溫度超越數據單張所載的規格。

此外,元件也受惠於矽技術和封裝的改良,使可靠性得以提升。先進的封裝設備和物料,例如近期改進了的封膠注入技術,能降低這些元件對濕度的敏感程度,並改善塑膠至晶片介面的溫度表現。最高的焊接溫度由於採用無鉛焊接物料而有所上升,使有關溫度表現成為重要考慮因素。

表面粘著SO-8封裝達到MSL2(第二級濕度敏感度標準),其餘所有表面粘著封裝則通過MSL3(第三級濕度敏感度標準)。全部新HVIC皆為J-STD-020C標準認可,並符合IR的環保目標和政策。

IR的HVIC技術融合智能驅動IC內的n-和p-通道LDMOS電路。這些IC接收低壓輸入,並為高壓電力調節應用提供閘驅動和保護功能。同時,這些單片HVIC提供綜合特點和功能,能簡化電路設計及減低整體成本,包括可採用低成本的啟動程式電源,同時免除以光耦合器或變壓器為基礎的分立設計傳統所要求的那些體積既大,價錢也昂貴的輔助電源。

關鍵字: IR  一般邏輯元件 
相關產品
IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝
IR推出電池保護應用MOSFET系列
IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻
IR為高功率工業應用推出新IGBT模組系列
IR推出75V MOSFET具有極低導通電阻
  相關新聞
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
» SEMI提4大方針增台灣再生能源競爭力 加強半導體永續硬實力
» 國科會促產創共造算力 主權AI產業專區落地沙崙
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BME3UY8GSTACUKY
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw