三菱電機株式會社宣布將於8月1日推出一款50W矽射頻（RF）高功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）模組，用於商用雙向無線電的高頻功率放大器。該模組提供先進的763MHz至870MHz頻段內功率輸出50W，整體效率可達到40%，將有助於擴大無線電通信範圍並降低功耗。

三菱電機將於8月1日推出新型50W矽射頻高功率MOSFET模組，用於商用雙向無線電的高頻功率放大器。（source : Mitsubishi Electric）

用於各種無線系統的150MHz和400MHz頻段，在北美和其他市場已經變得擁擠，因此作為回應，以前用於模擬電視廣播的700MHz頻段已重新分配用於商用雙向無線電，增加對於支援該頻段的無線電需求。然而傳統的功率放大器的功率損耗較大，因此需要提供內置輸入/輸出阻抗匹配電路的RF高功率MOSFET模組，和保證輸出功率性能。新型矽射頻高功率MOSFET（RA50H7687M1）為相容700MHz頻段的商用無線電實現了功率輸出和整體高效率。