Ultrabook設備和筆記型電腦等應用的設計人員面臨降低電源設計中電感高度的挑戰，以滿足更薄的低側高終端系統要求。有鑑於此，快捷半導體(Fairchild)昨日宣佈，提供第二代XS DrMOS系列FDMF6708N，這是經全面優化的小型整合式MOSFET解決方案加驅動器功率級解決方案，適用於高電流、高頻率的同步降壓DC-DC應用。

FDMF6708N整合了一個驅動器IC、兩個功率MOSFET和一個靴帶式蕭特基二極體，採用增強熱性能的6x6mm2 PQFN Intel DrMOS v4.0標準封裝。

FDMF6708N可讓設計人員節省50%的占位面積，同時提供高開關頻率和高功率密度。該元件的零交越檢測(ZCD)功能改善能夠輕負載效率，延長了電池壽命。與傳統離散解決方案不同，FDMF6708N使用最新的控制FET和SyncFET技術及源極電感更低的clip-bond封裝，在滿負載下提供高效率。

而傳統離散解決方案需要更大的PCB空間、更長的佈局走線、更厚的電感，以及更多的元件，因而在使用較薄磁性元件所需的較高頻率下，會出現散熱性能不良。

FDMF6708N採用PQFN 6x6mm2 封裝，與最接近的競爭產品相比，該元件在峰值負載下(15A)效率提高2.5%，在滿負載條件下(30A)效率改善6%。該元件適用於要求開關頻率在600KHz – 1.0MHz，輸入電壓高達20V的應用。

可讓設計人員使用更小、更薄的電感和電容，縮小解決方案的尺寸，同時滿足散熱要求。FDMF6708N元件能夠幫助設計人員應付設計挑戰，設計出更炫酷、更薄，而且具有更高效率的Ultrabook產品。